曝光机从核心技术参数与工艺匹配需要考虑哪些因素
来源：https://www.dgzkjd.com
发布时间：2025-06-26 20:26:14
1. 曝光类型与光源配置
按光源分类：
汞灯曝光机：光谱覆盖 300-450nm，光强高（≥100mW/cm²），适合厚膜光刻（如 PCB 阻焊层），但能耗高（单机功率 1-3kW）、寿命短（800-1500 小时）。
UV-LED 曝光机：单色光（如 365nm/395nm），能耗低（省电 30%-50%）、寿命长（20000 小时），适合高精度薄膜光刻（如半导体掩膜版），但光强均匀性要求更高。
关键指标：
波长需与光刻胶匹配（如正性胶常用 365nm，负性胶可用 405nm）；
光强均匀性≤±3%（通过匀光板或多 LED 阵列实现）。
2. 分辨率与精度
分辨率决定图案细节：
PCB 线路板：线宽 / 线距≥50μm 时，选用分辨率 1-2μm 的设备；
半导体芯片：需 0.5μm 以下分辨率，需搭配投影式曝光（如步进光刻机）。
定位精度：
重复定位精度≤±10μm（适用于多层板对位），半导体领域需≤±1μm（需激光干涉仪校准）。
3. 曝光幅面与产能
幅面适配性：
标准 PCB 板：选择 600×900mm 以上幅面（兼容 FR-4 板材）；
柔性屏基板：需 1000×1500mm 超大幅面（如 OLED 蒸镀前曝光）。
产能计算：
按光源分类：
汞灯曝光机：光谱覆盖 300-450nm，光强高（≥100mW/cm²），适合厚膜光刻（如 PCB 阻焊层），但能耗高（单机功率 1-3kW）、寿命短（800-1500 小时）。
UV-LED 曝光机：单色光（如 365nm/395nm），能耗低（省电 30%-50%）、寿命长（20000 小时），适合高精度薄膜光刻（如半导体掩膜版），但光强均匀性要求更高。
关键指标：
波长需与光刻胶匹配（如正性胶常用 365nm，负性胶可用 405nm）；
光强均匀性≤±3%（通过匀光板或多 LED 阵列实现）。
2. 分辨率与精度
分辨率决定图案细节：
PCB 线路板：线宽 / 线距≥50μm 时，选用分辨率 1-2μm 的设备；
半导体芯片：需 0.5μm 以下分辨率，需搭配投影式曝光（如步进光刻机）。
定位精度：
重复定位精度≤±10μm（适用于多层板对位），半导体领域需≤±1μm（需激光干涉仪校准）。
3. 曝光幅面与产能
幅面适配性：
标准 PCB 板：选择 600×900mm 以上幅面（兼容 FR-4 板材）；
柔性屏基板：需 1000×1500mm 超大幅面（如 OLED 蒸镀前曝光）。
产能计算：
单次曝光时间 + 上下料时间 = 节拍周期，例：某设备单次曝光 15s，每小时产能≈240 片（按全自动线计算）。
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